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三星3nm芯片流片成功!即将规模量产,性能强于台积电

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论坛元老

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发表于 2021-6-30 23:13:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
在芯片工艺的技术方面,目前台积电和三星无人能及,这两家公司不但获得了最多ASML的EUV光刻机,同时也双双在3nm工艺上趋于圆满。在台积电的3nm工艺将在明年风险试产之后,三星近日也正式宣布自家的3nm芯片已经流片成功,而且性能还要强于台积电的3nm。

和之前业内的预测一样,三星的3nm制程采用的是GAA架构,而台积电的3nm FinFET架构。所以从技术先进性来说,三星的3nm制程的确要强于台积电,台积电要在2nm制程时才会使用GAA架构。当然,3nm对于三星而言也是非常重要的一个节点,因为在5nm工艺上,三星并没有采用新技术,而是利用7nm改进而来,而台积电的5nm则是全新技术,所以这方面台积电要强于三星。

三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔采用的FinFET的架构,而是采用GAA的结构。因此,三星采用了新思科技一个全新的平台Fusion Design Platform,所以这颗芯片从功能上而言主要实验性质的,用户不同平台芯片的混合设计。

在技术性能上,GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下,GAA的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。所以整个行业其实都承认目前GAA是最先进的技术,包括台积电也会采用GAA技术,不过那要等到2nm的时候。三星提前在3nm采用这种技术,其实也是希望能在技术上弯道超车台积电

三星的芯片代工设计技术团队副总裁表示,三星电子最新且先进的3nm GAA 制程技术,受惠于与新思科技合作,有效达成3nm制程技术承诺,证明关键联盟的重要性和优点。在之前,三星曾在2020年完成3nm的开发,但开发成功并不意味着产品最终进入量产的时间可以确定。但伴随着此次成功流片,三星3nm芯片大规模量产的时间点已经正式临近。如果不出意外的话,明年三星会和台积电正式量产3nm芯片,两者会在新的芯片领域展开竞争。

先进制程一直是台积电、三星以及英特尔重要的角力战场。随着三星3nm采用GAA打算弯道超车,台积电则在3nm制程上仍持续采用FinFET架构, 在已知的技术基础上可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。至于Intel,现在看来7nm也没有问题,不出意外的话会在2023年采用,效能堪比台积电和三星的5nm芯片。另外Intel应该会在5nm工艺上采用GAA技术,届时性能甚至会超过三星和台积电的3nm工艺。

现在对于三星的最大问题是客户相对较少。台积电的大客户重大,像3nm工艺的产能就已经被苹果这样的大厂商预定,而三星现在的大客户就是高通和NVIDIA,但是这两个厂商都没有决定未来是和三星合作还是和台积电合作,也没有厂商宣告会采用三星的3nm工艺,所以在商业渠道这方面,三星和台积电的差距还是不小。


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